КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
|
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8А, 5Вт, SO8
На складе ... Производитель: VISHAY Тип корпуса: SO8 код товара: 00-00053004
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
Производитель |
Vishay
|
Технология |
Si |
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
Тип корпуса |
SOIC-8
|
Количество каналов |
2 Channel
|
Полярность
транзистора |
P-Channel
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
- 30 V
|
Ток стока |
-8 A |
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
29 mOhms
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
20 V |
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
- 3 V
|
Qg - заряд затвора |
32 nC
|
Рабочая температура |
-55...150 C
|
Канальный режим |
Enhancement
|
Конфигурация |
Dual Dual Drain
|
Время спада |
12 ns, 16 ns
|
Pd - рассеивание
мощности |
2.5 W
|
Время нарастания |
8 ns, 35 ns
|
Типичное время
задержки выключения |
45 ns, 40 ns
|
Типичное время
задержки при включении |
10 ns, 42 ns |
| | |
|
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Рекомендуем для покупки с этим товаром |
|
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП