| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
SPA11N65C3XKSA1
МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 650 В, 0.34 Ом, 10 В, 3 В
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: TO-220F
код товара: 00-00066623
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
|
Технология |
Si |
|
Вид монтажа |
Through Hole
|
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
|
Количество каналов |
1 Channel
|
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
650 V
|
|
Id - непрерывный ток
утечки |
11 A |
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
380 mOhms
|
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
- 20 V, + 20 V
|
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
3.9 V
|
|
Qg - заряд затвора |
45 nC
|
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Pd - рассеивание
мощности |
33 W |
|
Канальный режим |
Enhancement
|
|
Конфигурация |
Single
|
|
Время спада |
5 ns |
|
Высота |
16.15 mm
|
|
Длина |
10.65 mm
|
|
Время нарастания |
5 ns |
|
Серия |
CoolMOS C3
|
|
Типичное время
задержки выключения |
44 ns
|
|
Типичное время
задержки при включении |
10 ns
|
|
Ширина |
4.85 mm
|
|
Вес изделия |
2 g |
| | |
|
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
|
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
 |
| |
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
 |
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
|
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|
