| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
STB9NK60ZT4
MOSFET транзистор - TO-220-3, Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 7 А, Rси(вкл): 0.85 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 30 В
Временно нет на складе...
Производитель: ST
Тип корпуса: D2PAK
код товара: 00-00053689
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
|
Корпус |
TO-263-3 |
|
Конфигурация и
полярность |
N |
|
Максимальное
напряжение сток-исток |
600 В. |
|
Ток стока
номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |
7 А. |
|
Сопротивление
открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |
0,85 Ом. |
|
Диапазон номинальных
напряжений затвора |
10 В. |
|
Максимальное
напряжение затвора |
30 В. |
|
Заряд затвора |
38 нКл. |
|
Рассеиваемая
мощность |
125 Вт. |
|
Примечание |
стабилитрон в
цепи затвора |
| | |
|
MOSFET
транзисторы от STMICROELECTRONICS |
на складе в Харькове |
|
Силовые
транзисторы MOSFET – то поле, на
котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности
энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это
радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного
расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти
транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах
коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном
оборудовании. |
 |
| |
|
|
Система
маркировки MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics, представленная на
рисунке, позволяет получить основную информацию о компоненте -
максимальные рабочие токи, напряжение пробоя, тип канала и технология
изготовления.
 |
серии транзисторов на складе:
STB /
STD /
STF /
STP /
STW |
|
Компания
STMicroelectronics постоянно
совершенствует технологии производства транзисторов для высоковольтных и
низковольтных приложений. Ассортимент силовых транзисторов
STMicroelectronics включает
MOSFET-транзисторы для работы с
напряжениями 500...1500 В, IGBT-транзисторы
с предельными напряжениями 350...1300 В, а также широкий спектр биполярных
транзисторов.
Портфолио MOSFET-транзисторов
STMicroelectronics включает в себя p- и
n-канальные транзисторы с рабочими напряжениями до 1500 В с малой емкостью
затвора и низким сопротивлением открытого канала, представленные в более
чем тридцати вариантах корпусов различного способа монтажа (TO-220,
TO-220FP, I2PAK, D2PAK, I2PAKFP, DPAK, IPAK, TO-247, Max247, PowerFLAT и
др.). |
|
Поставляемые компоненты
|
