Производитель

 STMicroelectronics

Категория продукта

 Полевые МОП-транзисторы (MOSFET)

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Тип корпуса

 TO-220-3

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 600 V

Id - непрерывный ток утечки

 7.5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 550 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 2 V

Qg - заряд затвора

 13.5 nC

Рабочая температура

 - 55 C ... + 150 C

Pd - рассеивание мощности

 25 W

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 13.2 ns

Время нарастания

 8 ns

Тип транзистора

 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

 32.5 ns

Типичное время задержки при включении

 8.8 ns