Транзистор IGBT STP40N60M2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 34 А, 0.078 Ом На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: TO-220 код товара: 00-00064257 СКАЧАТЬ PDF
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов
Корпус
TO220AB
Конфигурация и
полярность
N
Максимальное
напряжение сток-исток
600 В
Ток стока
номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
IGBT транзистор - (Insulated
Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную
структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого
транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота
управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое
падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного
транзистора