Категория продукта

 МОП-транзистор

Производитель

 STMicroelectronics

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Корпус

 TO-220-3

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 600 V

Id - непрерывный ток утечки

 4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

 30 V

Qg - заряд затвора

 18.8 nC

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Конфигурация

 Single

Канальный режим

 Enhancement

Время спада

 16.5 ns

Высота

 9.15 mm

Длина

 10.4 mm

Pd - рассеивание мощности

 70 W

Время нарастания

 9.5 ns

Серия

 N-channel MDmesh

Тип транзистора

 1 N-Channel

Тип

 MOSFET

Типичное время задержки выключения

 29 ns

Типичное время задержки при включении

 12 ns

Ширина

 4.6 mm

Вес изделия

 1.438 g