Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET TPC8107 МОП-транзистор P-Ch 30V 13A Rdson=0.007Ohm На складе ... Тип корпуса: SO8 код товара: 00-00072936 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 35 шт от 152 шт 16,50 14,09 13,12 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Максимальная рассеиваемая мощность  1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток  30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток  20 V Максимально допустимый постоянный ток стока  13 A Максимальная температура канала  150 °C Общий заряд затвора  130 nC Время нарастания  11 ns Выходная емкость  1050 pf     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с изолированным затвором. MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе   Рекомендуем для покупки с этим товаром Переходник - Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса 150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для микросхем в корпусе SOIC. Особенности: Шаг выводов: 1,27мм. Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее). Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для установки в DIP панель программатора. Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты при установке/изъятии микросхемы из панельки. Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая микросхему для безопасной замены.

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП