Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн |
![](pic/TSSOP-8.jpg)
| M24C08-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - TSSOP-8 , Тип : EEPROM , Интерфейс : I2C , Объём : 8 кбит , Организация : 1Kx8 , 2.5…5.5 В
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00047473 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M24C08-WMN6P Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - SOIC-8-3.9: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 8 кбит: Организация: 1Кх8, 400 кГц.
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00049672 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8.jpg)
| M24C16-RMN6P Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 16 кбит: Организация: 2Kx8: Скорость: 400kHz: Напряжение: 1.8...5.5 В
Тип корпуса: SO8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022827 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M24C16-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - SOIC-8-3.9: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 16 кбит: Организация памяти 2Кх8
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00049154 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/DIP8.jpg)
| M24C32-WBN6P Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [DIP-8]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 32 кбит: Организация: 4Kx8: Скорость: 400kHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: DIP8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022831 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/TSSOP-8.jpg)
| M24C32-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM Микросхема памяти: EEPROM: 2.5...5.5V: 32K (4Kx8)
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00050062 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M24C64-RMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 64 кбит: Организация 8Кх8
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00048190 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M24C64-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 64 кбит: Организация: 8Kx8: Скорость: 400kHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022836 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/UFDFPN-8.jpg)
| M24LR64E-RMC6T/2 Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [8-UFDFPN (2x3)]: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 64 кбит
Тип корпуса: UFDFPN-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00045567 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/M24M02-DRMN6TP.jpg)
| M24M02-DRMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 2 Мбит: Организация: 256Kx8: Скорость: 1MHz: Напряжение: 1.8...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022909 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/UFDFPN-8.jpg)
| M24SR02-YMC6T/2 Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [8-UFDFPN (2x3)]: Тип: EEPROM: Интерфейс: I2C: Объём: 2 кбит
Тип корпуса: UFDFPN-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00045558 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/M25B-2P(5-8.5mm).jpg)
| M25B-2P (5-8.5mm) Гермоввод Герметичный кабельный соединитель. Резьба М25. Количество контактов: 2 Диаметр кабеля: 5-8.5 мм. IP68. Самозажимной клеммник внутри
код товара: 00-00064652 Перейти в группу Гермоввод |
|
|
![](pic/M25B-3P(5-8.5mm).jpg)
| M25B-3P (5-8.5mm) Гермоввод Герметичный кабельный соединитель. Резьба М25. Количество контактов: 3 Диаметр кабеля: 5-8.5 мм. IP68. Самозажимной клеммник внутри
код товара: 00-00064654 Перейти в группу Гермоввод |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M25P10-AVMN6P Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: FLASH, NOR: Интерфейс: Serial, SPI: Объём: 1 Мбит: Организация: 128Kx8: Скорость: 50MHz: Напряжение: 2.3...3.6 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: MICRON код товара: 00-00022910 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M25P16-VMN6TP Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: FLASH: Интерфейс: SPI: Объём: 16 Мбит: Напряжение: 2.7...3.6 В: Траб: -40...85 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022911 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|
![](pic/SO8W.jpg)
| M25P40-VMN6TPB Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - SOIC-8-3.9: Тип: FLASH, NOR: Интерфейс: Serial, SPI: Объём: 4 Мбит: Организация: 512Kx8: Скорость: 75MHz: Напряжение: 2.3...3.6 В
Тип корпуса: SO8W Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022915 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|
![](pic/SO8.jpg)
| M25P80-VMW6TG Микросхема памяти FLASH Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: FLASH: Интерфейс: SPI: Объём: 8 Мбит: Напряжение: 2.7...3.6 В: Траб: -40...85 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00022917 Перейти в группу Микросхема памяти FLASH |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M41T00M6F Часы реального времени Часы реального времени, формат (дата/месяц/год сс:мм:чч), I2C, 2В до 5.5В, SOIC-8
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00067636 Перейти в группу Часы реального времени |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M41T0M6F Часы реального времени RTC - SOIC-8-3.9, Интерфейс: I2C, Особенности: standby current 0.9 мкA, Напряжение: 2...5.5 В, Т раб: -40...80 °C, Serial real-time clock (RTC)
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00056208 Перейти в группу Часы реального времени |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M41T56M6F Часы реального времени RTC - SOIC-8-3.9, Интерфейс: I2C, PowerControl, Память: 56 Байт, Напряжение: 4.5...5.5 В, Т раб: -40...85 °C, Примечания: 0.45 мкА Serial real-time clock (RTC) with 56 bytes NVRAM
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00027277 Перейти в группу Часы реального времени |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M41T81M6F Часы реального времени Часы реального времени: SOIC-8: размер памяти системных часов 20 B: напряжение питания макс. 5.5 V: напряжение питания мин. 2 V
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00027279 Перейти в группу Часы реального времени |
|
|
![](pic/M5050-GREEN.jpg)
| M5050-GREEN-6-82MM Светодиодный модуль Светодиодный модуль M5050: цвет зелёный, диодов 6, длина 82 мм. Герметичный.
Производитель: Украина код товара: 00-00047254 Перейти в группу Светодиодный модуль |
|
|
![](pic/DIP14.jpg)
| M74HC164B1R Микросхема серии 74HC Логическая ИС - DIP14, Тип: СДВ.РЕГИСТР-8, Узлов: 1, Uпит: 2...6 В, Uпит(ном): 5 В, Задержка: 37 нс, Iвх: 100 мА
Тип корпуса: DIP14 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023198 Перейти в группу Микросхема серии 74HC |
|
|
![](pic/TSSOP-8.jpg)
| M93C46-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с Microwire интерфейсом объёмом 1 кбит в корпусе TSSOP-8
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00052646 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M93C46-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 1 кбит: Организация: 128x8 or 64x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023624 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M93C56-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 2 кбит: Организация: 256x8 or 128x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023627 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/TSSOP-8.jpg)
| M93C66-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с Microwire интерфейсом объёмом 4 кбит в корпусе TSSOP-8
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00052647 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M93C66-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 4 кбит: Организация: 512x8 or 256x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023628 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M93C76-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 8 кбит: Организация: 1Kx8 or 512x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023629 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M93C86-MN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с Microwire интерфейсом объёмом 16 кбит в корпусе SOIC-8-3.9
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00052648 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M93C86-WMN6TP Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 16 кбит: Организация: 2Kx8 or 1Kx16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023631 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8.jpg)
| M93S46-WMN6P Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 1 кбит: Организация: 64x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023632 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8-150-1.27.jpg)
| M93S56-WMN6P Микросхема памяти EEPROM Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: EEPROM: Интерфейс: Serial, Microwire: Объём: 2 кбит: Организация: 128x16: Скорость: 2MHz: Напряжение: 2.5...5.5 В
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023633 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8.jpg)
| M95010-RMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 1 кбит, в корпусе SO-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи. Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
Тип корпуса: SO8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00059473 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/TSSOP8.jpg)
| M95128-DFDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 128 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Напряжение питания: 1.7...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
Тип корпуса: TSSOP8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00064856 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/TSSOP-8.jpg)
| M95128-RDW6TP Микросхема памяти EEPROM Память EEPROM: 128Kbit, SPI, 1.8…5.5В
Тип корпуса: TSSOP-8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023644 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/SO8.jpg)
| M95160-RMN6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания: 1.8...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C.
Тип корпуса: SO8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00053180 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/TSSOP8.jpg)
| M95160-WDW6TP Микросхема памяти EEPROM EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе TSSOP-8 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи . Напряжение питания: 2.5...5.5 В . Рабочая температура: -40...85 °C .
Тип корпуса: TSSOP8 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00023646 Перейти в группу Микросхема памяти EEPROM |
|
|
![](pic/Magnet-16X6-8.jpg)
| Magnet-16X6-8 Магнит Магнит неодимовый, шайба с отверстием, диаметр 16 мм. Высота: 6 мм (+/- 0,5). Отверстие: 8 мм. N35. Nd-Fe-B. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00063064 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X1.jpg)
| Magnet-8X1 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 1 мм (+/- 0,1). N50. 1400-1450 мТ. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00052596 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X1.5.jpg)
| Magnet-8X1.5 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 1,5 мм (+/- 0,1). N50. 1400-1450 мТ. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00052599 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X2.jpg)
| Magnet-8X2 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 2 (+/-0.3) мм. N35. 1400-1450 мТ. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00064871 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X20.jpg)
| Magnet-8X20 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 20 (+/-0.3) мм. N35. 1400-1450 мТ. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00064876 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X2-3.jpg)
| Magnet-8X2-3 Магнит Магнит неодимовый, шайба с отверстием, диаметр 8 мм. Высота: 2 мм (+/- 0,2). Диаметр отверстия: 3 мм. N50. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00057438 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X3.jpg)
| Magnet-8X3 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 3 (+/-0.3) мм. N35. 1400-1450 мТ. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00064872 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X30.jpg)
| Magnet-8X30 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 30 (+/-0.3) мм. N35. 1400-1450 мТ. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00064875 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X3-3.jpg)
| Magnet-8X3-3 Магнит Магнит неодимовый, шайба с отверстием, диаметр 8 мм. Высота: 3 мм (+/- 0,3). Диаметр отверстия: 3 мм. N50. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00057435 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X4.jpg)
| Magnet-8X4 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 4(+/-0.3) мм. N35. 1400-1450 мТ. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00059611 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X6.jpg)
| Magnet-8X6 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 6 (+/-0.3) мм. N35. 1400-1450 мТ. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00064878 Перейти в группу Магнит |
|
|
![](pic/Magnet-8X7.jpg)
| Magnet-8X7 Магнит Магнит неодимовый, шайба, диаметр 8 мм. Высота: 7 (+/-0.3) мм. N35. 1400-1450 мТ. Напр. магн. поля: Аксиальное. Возможны незначительные сколы без повреждения структуры магнита
код товара: 00-00064877 Перейти в группу Магнит |
|
|