КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

 

пассивные SMD-компоненты

конденсаторы

SMD-конденсаторы: 0402, 0603, 0805, 1206
SMD-резисторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 2010, 2512
прецизионные низкоомные резисторные сборки

SMD-индуктивности: 0603, 0805, 1206

высоковольтная керамика / керамика класс Y1 и Y2 / металлопленка CL-21X / металлопленка CL-21 MEF / полипропиленовые CBB21 CBB22 / полипропиленовые X2-MKP / высоковольтные CBB81 / для двигателей CBB61 / фазосдвигающие CBB60E / пусковые CBB65 / Полистирольные конденсаторы СL11 / Аксиальные металлопленочные конденсаторы CL-20T / Электролитические конденсаторы / Неполярные / Полимерные (твердотельные) / Тонкие для ЖК / Низкоимпедансные / Конденсаторы SMD, Серия RC

 

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Микросхема памяти FRAM
FM24W256-GTR
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]: Тип: FRAM: Интерфейс: Serial, I2C: Объём: 256 кбит: Организация: 32Kx8: Скорость: 1MHz: Напряжение: 2.7...5.5 В

На складе ...
Производитель: CYPR
Тип корпуса: SOIC8
код товара: 00-00022802

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 5 шт
от 22 шт


от 45 шт

108,00
95,58
89,41

84,94

Раздел:
Микросхема памяти FRAM


 

Новые микросхемы Ramtron F-RAM работают в более широком диапазоне напряжений питания и потребляют меньший ток

Особенностью изделий семейства W-Family, доступных в вариантах с последовательным (I2C или SPI) или параллельным интерфейсом, является широкий диапазон напряжения питания - от 2,7 до 5,5 В. Кроме того, микросхемы W-Family имеют на 25-50% меньший ток в активном режиме, а модели с последовательным интерфейсом еще и включаются в работу гораздо быстрее своих предшественниц (время инициализации после подачи питания сокращено в 20 раз).

Улучшенные показатели W-Family обусловлены использованием усовершенствованного ферроэлектрического процесса. Заявленный срок службы равен 100 триллионам циклов чтения/записи. Записанную информацию микросхемы хранят до 38 лет. Модели FM24W256 и FM25W256 плотностью 256 Кбит имеют интерфейс I2C и SPI соответственно. Модели FM16W08 и FM18W08 плотностью 64 и 256 Кбит соответственно оснащены параллельным интерфейсом. Новинки выпускаются в корпусах типа SOIC с 8 выводами (микросхемы с последовательным интерфейсом) или с 28 выводами (с параллельным интерфейсом). Их рабочий диапазон температур простирается от -40 C до +85 C.


256Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 32,768 x 8 bits
• High Endurance 100 Trillion (1e14) Read/Writes
• 38 year Data Retention
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process 

Fast Two-wire Serial Interface
• Up to 1 MHz Maximum Bus Frequency
• Supports Legacy Timing for 100 kHz & 400 kHz 

Low Power Operation
• Wide Voltage Operation 2.7V-5.5V
• 100 uA Active Current (100 kHz)
• 15 uA Standby Current (typ.)

Industry Standard Configuration
• Industrial Temperature -40°C to +85°C
• 8-pin SOIC (-G)  -- Same package as FM24L256-G
• 8-pin EIAJ SOIC (-EG) -- Same package as FM24C256-G -- NRND
 
 

Микросхемы памяти на складе в Харькове

 

AT45DB - Микросхемы последовательной Flash памяти семейства DataFlash компании Atmel
M24SR – беспроводная NFC-память с высокой скоростью передачи данных

микросхемы памяти EEPROM фирмы Microchip в миниатюрных корпусах SOT23
Последовательная EEPROM-память производства STMicroelectronics
Микросхемы последовательной (SST25, SST26) и параллельной (SST39) Flash-памяти компании SST
Энергонезависимая память RAMTRON на складе
FLASH-память на складе - полный перечень
Энергонезависимая память ROM на складе
Электрически программируемая EPROM
Перезаписываемая память EEPROM
Микросхемы памяти FRAM - полный перечень
Статическая память SRAM

Микросхемы памяти SDRAM на складе

Энергонезависимая память M24LR

 

Микросхема памяти FRAM
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) - энергонезависимая сегнетоэлектрическая память. FRAM это новое поколение энергонезависимой памяти, которое объединяет высокую скорость записи/чтения и низкое энергопотребление со способностью сохранять данные при пропадании электропитания (без подпитки резервной батареей).
Ферроэлектрические ОЗУ (FRAM) RAMTRON

Энергонезависимая память RAMTRON на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП