КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

 

Диодная продукция: смотри так же:
Быстрые (высокочастотные) диоды
Диоды Шоттки от STMicroelectronics
Диоды Шоттки от CREE POWER
Диоды и диодные сборки Шоттки
Сверхбыстрые выпрямительные диоды ST Microelectronic
Карбид-кремниевые диоды Шоттки на 600 В
Мост выпрямительный однофазный
Мост выпрямительный трехфазный

Выпрямительные диоды Diotec
Диод высоковольтный
 

Карбид-кремниевые диоды Шоттки на 600 В от ST

 

STPSC606DНа склад поступили карбид-кремниевые диоды Шоттки от компании STMicroelectronics.

Карбид кремния (Si-C) является перспективным направлением в области силовой электроники, поскольку имеет множество преимуществ в сравнении с классическим кремнием (более широкий диапазон рабочих температур, малые утечки и более стабильные параметры при высоких температурах, малый динамический обратный ток в диодах Шоттки и т.д.).

 

Технические характеристики:

Наименование

Id, А

Qc, нК

Vds, В

Tjmax, °C

Корпус

STPSC406D

4

3

600

175

TO-220AC

STPSC606D

6

6

STPSC806D

8

10

STPSC1006D

10

12

STPSC1206D

12

12

смотри также Диоды Шоттки от International Rectifier

Диод Шоттки по сути является «идеальным диодом», так как имеет низкое прямое падение напряжения и незначительные потери при переключении. К сожалению, такой диод не способен работать с напряжениями более 200 В. Однако, используя карбид-кремниевые подложки (Silicon Carbide - SiC) в качестве основы, можно повысить рабочее напряжение до 1200 В.

Впервые кристаллический карбид кремния был получен в 1892 году и тогда был назван карборундом. Отец транзистора Уильям Шокли назвал карбид кремния «идеальным полупроводником» и уже в 1950 году был уверен, что этот материал быстро заменит кремний за счет превосходных свойств. В таблице 1 указаны ключевые различия между карбидом кремния и кремнием.

Таблица 1. Сравнительные характеристики кремния и карбида кремния  

Свойства материала Кремний Карбид кремния*
Ширина запрещённой зоны, эВ 1,12 3,05
Критическое поле пробоя, х106 В/см 0,25 2,5
Теплопроводность, Вт х см-1 х K-1 1,56 4,9
Температура плавления, °C 1420 2830
* – 6H Si-C

 

Карбид кремния является полупроводником с непрямой зонной структурой (то есть вероятность излучательной рекомбинации в нем небольшая), с шириной запрещенной зоны от 2,4 до 3,3 эВ, что больше по сравнению с Si и GaAs, а это в свою очередь, означает больший диапазон рабочих температур (теоретически - до 1000°С, практически - до 600°С) и малый ток утечки (менее 70 мкА при 200°С). Карбид кремния имеет высокую теплопроводность (примерно на уровне меди), что упрощает проблему отвода тепла, снижая тепловое сопротивление кристалла по сравнению с Si в два раза. Вдобавок, карбид кремния имеет в десять раз более высокое критическое поле пробоя. Это означает, что напряжение пробоя может быть в десять раз выше, чем в кремнии. Приведенные характеристики обусловливают перспективное использование этого материала в силовой электронике.

Силовые приборы на основе SiC применяются в устройствах средней (1...10 кВт) и большой мощности (10 кВт...1 МВт), а также в устройствах, работающих при высоких значениях температуры и радиации: в приборах для нефте- и газодобычи, в автомобилестроении, турбиностроении для АЭС и т.д. Лучшая радиационная стойкость карбида кремния в сравнении с кремнием и хорошие результаты по надежности дают ему преимущество и в случае специальных применений.

 

SIC-ДИОДЫ ШОТТКИ

Многие десятилетия кристаллический карбид кремния существовал исключительно в исследовательских центрах. Сложность выращивания высококачественных карбид-кремневых подложек препятствовала индустриальному использованию этого материала. Сегодня несколько производителей сумели создать воспроизводимые технологические процессы для производства таких кристаллов. Стоимость карбид-кремниевых подложек остается высокой в сравнении с кремниевыми подложками (превышение до 100 раз). По этой причине применение карбид-кремниевых приборов на сегодняшний день ограничивается специфическими случаями, где физические превосходства этого материала делают решения на его основе более эффективными.

Первым индустриальным применением карбида кремния стали в 2001 году SiC-диоды Шоттки. В данный момент компания STMicroelectronics производит карбид-кремниевые диоды на трехдюймовых пластинах, используя новейшие технологии изготовления подложек, и в этом году переходит на четырехдюймовые пластины (рис. 1). В 2011 году STMicroelectronics планирует начать производить карбид-кремниевые МОП-транзисторы (PMOS).

 

Диаграмма развития производства карбид-кремниевых приборов компанией STM

Рис. 1. Диаграмма развития производства карбид-кремниевых приборов компанией STM

 

У силового выпрямительного диода на основе SiC благодаря большой ширине запрещенной зоны практически отсутствуют обратные токи при комнатной температуре. Он имеет большое быстродействие и высокие рабочие температуры. Испытания показали, что использование SiC-диодов в составе преобразователя позволяет увеличить его КПД на 0,5...1%, особенно на малых нагрузках и высоких частотах преобразования. Высокая плотность мощности - второе преимущество SiC-диодов над обычными кремниевыми диодами. Это дает возможность удвоения частоты преобразования без ухудшения характеристик переключения, что, в свою очередь, позволяет уменьшить габариты индуктивных компонентов схемы. Более того, сокращаются помехи, создаваемые работой преобразователя на основе SiC-диодов, что опять-таки позволяет упростить фильтры по питанию и сократить их размеры.

Ключевая особенность карбид-кремниевых диодов - малый динамический обратный ток восстановления. Это непосредственно связано с емкостью p-n перехода. Вдобавок, этот ток остается стабильным независимо от температуры диода (рис. 2). В биполярных кремниевых диодах главные физические эффекты связаны с неосновными носителями заряда, которые сильно повышают обратный ток восстановления (IRM) и обратный заряд восстановления (QRR). Для такого типа диода при увеличении температуры перехода с 25 до 125°С значение IRM удваивается, а значение QRR увеличивается в четыре раза.

 

 

Сравнительные характеристики обратного тока восстановления в зависимости от технологии

Рис. 2. Сравнительные характеристики обратного тока восстановления в зависимости от технологии

Необходимо отметить, что форма тока, протекающего через SiC-диод при включении имеет характер слабого переходного процесса, амплитуда которого не зависит от температуры, а у быстродействующего Si диода имеется ярко выраженный эффект обратного восстановления, причем амплитуда тока и временной интервал его протекания имеют существенную температурную зависимость.

Основные параметры карбид-кремневого диода при комнатной температуре в сравнении с его ближайшим конкурентом приведены в таблице 2:

Таблица 2. Сравнительные характеристики биполярного кремниевого и SiC-диодов STMicrolectronics  

Наименование Технология VRRM, В IF, A VF, В TJ max, ° C TRR, нс
STTH806DTI Кремний 600 8 2,24 150 12
STPSC806D Карбид кремния 600 8 1,70 175

Прямое падение напряжения у SiC диода при температуре 25°C ниже, но значения падения напряжения приблизительно совпадают при температуре 50...70°С. Значение емкостного заряда карбид-кремниевого диода практически не зависит от скорости изменения тока (рис. 3), тогда как заряд обратного восстановления у кремниевых диодов увеличивается, и, соответственно, растут потери на высоких частотах.

Зависимость заряда обратного восстановления от скорости изменения тока через диод для Si- и SiC-диодов

Рис. 3. Зависимость заряда обратного восстановления от скорости изменения тока через диод для Si- и SiC-диодов

 

Дополнительно стоит отметить особенности применения новых диодов STM - падение напряжения имеет положительный температурный коэффициент: чем выше температура, тем выше падения напряжения. Это значительно упрощает использование диодов при их параллельном включении, так как в этом случае не требуются согласующие резисторы для выравнивания их токов. При последовательном включении емкость перехода каждого диода достаточно велика, что снимает необходимость организации динамического регулирования баланса напряжений на каждом диоде, входящим в состав такой цепочки.

В таблице 3 приведены имеющиеся в производстве карбид-кремниевые диоды Шоттки. Диапазон рабочих токов начинается с 4 А и достигает 12 А с максимальным обратным напряжением 600 В.


Таблица 3. Основные характеристики SiC диодов STMicroelectronics

Наименование Средний рабочий ток, А Максимальный импульсный ток, А Максимальное обратное напряжение, В Падение напряжения при 25°C, В Падение напряжения при 150°C, В Обратный ток, мкА Емкость перехода, пФ Корпус  
STPSC406D 4 14 600 1,55...1,90 1,90...2,40 10...50 20 TO-220AC

STPSC406B-TR 4 14 600 1,55...1,90 1,90...2,40 10...50 20 DPAK
STPSC606D 6 27 600 1,40...1,70 1,60...2,10 15...75 30 TO-220AC
STPSC606G-TR 6 27 600 1,40...1,70 1,60...2,10 15...75 30 D2PAK
STPSC806 8 30 600 1,40...1,70 1,60...2,10 20...100 35 TO-220AC
STPSC1006 10 40 600 1,40...1,70 1,60...2,10 30...150 50 TO-220AC
STPSC1206 12 50 600 1,40...1,70 1,60...2,10 30...150 65 TO-220AC


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП