Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн |
| MJE340-ST Транзистор биполярный Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 20.8 Вт, 500 мА, 240 hFE
Тип корпуса: TO-126 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00064901
|
|
|
| MJE3439G Транзистор биполярный Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 МГц, 15 Вт, 300 мА, 15 hFE
Тип корпуса: TO-225 Производитель: ONS код товара: 00-00063900
|
|
|
| MJE350 Транзистор биполярный Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -300 В, 20 Вт, -500 мА, 30 hFE
Тип корпуса: TO-126 Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00061108
|
|
|
| MJE350G Транзистор биполярный Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -300 В, 20 Вт, -500 мА, 30 hFE
Тип корпуса: TO-126 Производитель: ONS код товара: 00-00064902
|
|
|
| MJE5852G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [TO-220-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 400 В: IК(макс): 8 А: Pрасс: 80 Вт: h21: от 15: Примечание: Bipolar Power PNP, 8 A, 400 V
Тип корпуса: TO-220 Производитель: ONS код товара: 00-00032495
|
|
|
| MJE700G Транзистор Дарлингтона Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 60В: 4А: 40Вт
Тип корпуса: TO-225 Производитель: ONS код товара: 00-00056903
|
|
|
| MJE800 Транзистор Дарлингтона Биполярный транзистор - Тип: NPN,Darlington: UКЭ(макс): 60 В: UКЭ(пад): 2.5 В: IК(макс): 4 А: Fгран: 1 МГц: h21: от 750
Тип корпуса: TO-126 Производитель: ONS код товара: 00-00032496
|
|
|
| MJE802G Транзистор Дарлингтона Транзистор: NPN: биполярный: Дарлингтон: 80В: 4А: 40Вт
Тип корпуса: TO-225 Производитель: ONS код товара: 00-00054359
|
|
|
| MJE803G Транзистор Дарлингтона Транзистор: NPN: биполярный: Дарлингтон: 80В: 4А: 40Вт
Тип корпуса: TO-225 Производитель: ONS код товара: 00-00054360
|
|
|
| MJH6284G Транзистор Дарлингтона Биполярный транзистор - [SOT-93]: Тип: NPN Darl.: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 20 А: Pрасс: 160 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00049866
|
|
|
| MJL1302AG Транзистор биполярный Биполярный транзистор, аудио, PNP, 200 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 175 hFE
Тип корпуса: TO-264 Производитель: ONS код товара: 00-00054210
|
|
|
| MJL21194G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [TO-3PBL]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 250 В: IК(макс): 16 А: Pрасс: 200 Вт: Fгран: 4 МГц: h21: 25...75
Тип корпуса: TO-3PBL Производитель: ONS код товара: 00-00032500
|
|
|
| MJL3281AG Транзистор биполярный Биполярный транзистор, аудио, NPN, 260 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 175 hFE
Тип корпуса: TO-264 Производитель: ONS код товара: 00-00054211
|
|
|
| MK-168 Измерительный прибор Универсальный тестер полупроводников ESR и RLC-метр
код товара: 00-00061281
|
|
|
| MMBF170LT1G Транзистор полевой MOSFET MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00032505
|
|
|
| MMBF2201NT1G Транзистор полевой MOSFET MOSFET силовой транзистор - [SOT-323-3]: Тип: N: Uси: 20 В: Iс(25°C): 300 мА: Rси(вкл): 1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
Тип корпуса: SC-70 Производитель: ONS код товара: 00-00032510
|
|
|
| MMBF4391LT1G Транзистор полевой MOSFET ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 50 мА, 150 мА
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032511
|
|
|
| MMBF4392LT1G Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом (JFET), 30 В, 25 мА, 75 мА, -5 В
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00059582
|
|
|
| MMBF4393LT1G Транзистор полевой MOSFET ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 5 мА, 30 мА, -3 В
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032512
|
|
|
| MMBF5103 Транзистор полевой MOSFET MOSFET с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, 10 мА, 40 мА, -2.7 В
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00062455
|
|
|
| MMBF5457 Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00064157
|
|
|
| MMBF5485 Транзистор полевой MOSFET РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
Тип корпуса: SOT-23 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032514
|
|
|
| MMBFJ111 Транзистор полевой MOSFET ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 20 мА, -10 В
Тип корпуса: SOT-23 Производитель: ONS код товара: 00-00056990
|
|
|
| MMBFJ113 Транзистор полевой MOSFET ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 2 мА, -3 В
Тип корпуса: SOT-23 Производитель: ONS код товара: 00-00062457
|
|
|
| MMBFJ175LT1G Транзистор полевой MOSFET P CHANNEL JFET, 30V, SOT-23
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032506
|
|
|
| MMBFJ177LT1G Транзистор полевой MOSFET ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
Тип корпуса: SOT-23 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032507
|
|
|
| MMBFJ201 Транзистор полевой MOSFET Транзистор: N-JFET: полевой: 40 В: 50 мА: 350 мВт: SOT23
Тип корпуса: SOT-23 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00050042
|
|
|
| MMBFJ202 Транзистор полевой MOSFET Транзистор полевой, N-JFET, 325мВт, SOT23, 50мА
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00068336
|
|
|
| MMBFJ309LT1G Транзистор полевой MOSFET RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr:-25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-4V: Power Dissipation Pd:225mW
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032508
|
|
|
| MMBFJ310 Транзистор полевой MOSFET ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 24 мА, 60 мА
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032509
|
|
|
| MMBFU310LT1G Транзистор полевой MOSFET ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00062956
|
|
|
| MMBT2222A.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор, коммутационный, NPN, 40 В, 300 МГц, 250 мВт, 600 мА, 100 hFE
Тип корпуса: SOT-23 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00060742
|
|
|
| MMBT2222ALT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 600 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 300 МГц: h21: 100...300
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032515
|
|
|
| MMBT2907ALT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 60 В: IК(макс): 600 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 200 МГц: h21: 50...300
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032516
|
|
|
| MMBT3904.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор, коммутационный, NPN, 40 В, 300 МГц, 250 мВт, 200 мА, 100 hFE
Тип корпуса: SOT23 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00060741
|
|
|
| MMBT3904LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 200 мА: Pрасс: 250 мВт: Fгран: 200 МГц: h21: 100...300
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00032517
|
|
|
| MMBT3904WT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - SC-70: Тип: NPN: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 200 мА: Pрасс: 150 мВт: Fгран: 300 МГц: h21: 100...300
Тип корпуса: SC70-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032518
|
|
|
| MMBT3906LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 200 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 250 МГц: h21: 100...300
Тип корпуса: SOT-23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032519
|
|
|
| MMBT4401LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 600 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 250 МГц: h21: 100...300
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032520
|
|
|
| MMBT4403LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 600 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 200 МГц: h21: 100...300
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00032521
|
|
|
| MMBT5179 Биполярный ВЧ транзистор Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 2 ГГц, 225 мВт, 50 мА, 25 hFE
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00060496
|
|
|
| MMBT5401LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 150 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: 60...240
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00032522
|
|
|
| MMBT5550LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 140 В, 600 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00068907
|
|
|
| MMBT5551LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 160 В: IК(макс): 60 мА: Pрасс: 225 мВт: h21: 80...250: Примечание: Small Signal High Voltage Transistor NPN
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00032523
|
|
|
| MMBT6427-7-F Транзистор биполярный Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 350 мВт, 1.2 А, 10000 hFE
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: DIODES код товара: 00-00056015
|
|
|
| MMBT6520LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 350 В: IК(макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц: h21: 30...200
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032524
|
|
|
| MMBT918LT1G Биполярный ВЧ транзистор Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 15 В, 600 МГц, 225 мВт, 50 мА, 20 hFE
Тип корпуса: SOT23 Производитель: ONS код товара: 00-00060495
|
|
|
| MMBTA05 Транзистор биполярный Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц, 350 мВт, 500 мА, 100 hFE
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00056016
|
|
|
| MMBTA06LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 80 В: IК(макс): 500 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: от 100
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00032525
|
|
|
| MMBTA14LT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 225 мВт, 300 мА, 10000 hFE
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00056018
|
|
|