Категория продукта

 РЧ биполярные транзисторы

Производитель

 NXP

Тип транзистора

 Bipolar

Технология

 Si

Полярность транзистора

 NPN

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 15 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 3 V

Непрерывный коллекторный ток

 0.2 A

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Конфигурация

 Single

Вид монтажа

 SMD/SMT

Корпус

 SOT-223

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 20 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 60

Высота

 1.7 mm

Длина

 6.7 mm

Максимальный постоянный ток коллектора

 0.2 A

Рабочая частота

 7000 MHz

Pd - рассеивание мощности

 2000 mW

Тип

 RF Bipolar Small Signal

Ширина

 3.7 mm

Другие названия товара №

 BFG591 T/R