КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFETBSS123NH6327XTSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 190 мА, 2.4 Ом, SOT-23, Surface MountНа складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: SOT23-3 код товара: 00-00067942 Раздел:Транзистор полевой MOSFET
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Вид монтажа
SMD/SMT
Полярность
транзистора
N-Channel
Количество каналов
1 Channel
Vds - напряжение
пробоя сток-исток
100 V
Id - непрерывный ток
утечки
190 mA
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток
6 Ohms
Vgs - напряжение
затвор-исток
- 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток
1.4 V
Qg - заряд затвора
600 pC
Минимальная рабочая
температура
- 55 C
Максимальная рабочая
температура
+ 150 C
Pd - рассеивание
мощности
500 mW
Канальный режим
Enhancement
Квалификация
AEC-Q101
Конфигурация
Single
Время спада
22 ns
Высота
1.1 mm
Длина
2.9 mm
Время нарастания
3.2 ns
Серия
BSS123
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время
задержки выключения
7.4 ns
Типичное время
задержки при включении
2.3 ns
Ширина
1.3 mm
Вес изделия
8 mg
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
Транзистор IGBT Пластиковые
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
