КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRFR3709ZPBF
MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 86 А: Rси(вкл): 6.5...8.2 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Uзатв(макс): 20 В
Временно нет на складе...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: D-PAK
код товара: 00-00032216
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
|
Описание: |
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK |
|
Даташит: |
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfr3709zpbf.pdf |
|
Серия: |
HEXFET® |
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
6.5
mOhm @ 15A, 10V |
|
Drain to Source Voltage (Vdss): |
30V |
|
Current - Continuous Drain (Id)
@ 25° C: |
86A |
|
Vgs(th) (Max) @ Id: |
2.25V
@ 250µA |
|
Gate Charge (Qg) @ Vgs: |
26nC @
4.5V |
|
Input Capacitance (Ciss) @
Vds: |
2330pF
@ 15V |
|
Тип FET: |
MOSFET
N-Channel, Metal Oxide |
|
Особенности FET: |
Logic
Level Gate |
|
Мощность (макс.): |
79W |
|
Тип монтажа: |
Surface Mount |
|
Корпус: |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
.jpg)
